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IPB35N10S3L26ATMA1
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IPB35N10S3L26ATMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH TO263-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.3 mOhm @ 35A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
IPB35N10S3L26ATMA1 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IPB35CN10NG | VB | Circuits intégrés spécialisés | 1000 |
IPB35N10S3L-26 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 13766 |
IPB35N10S3L-26 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 1289 |
IPB35N10S3L-26(3N10L26) | INFINEON | Circuits intégrés spécialisés | 2551 |
IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IPB35N12S3L26ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2615 |
IPB35N12S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples |
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