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IPB60R099P7ATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH TO263-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 530µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max) 117W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1952pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 31A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB60R099P7 IPB60R099P7ATMA1-ND IPB60R099P7ATMA1TR SP001664910
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
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