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IPB80N06S2L11ATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 93µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2075pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 158W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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IPB80N06S2L11ATMA1 fabricants de marques: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip action, IPB80N06S2L11ATMA1 prix de référence. IPB80N06S2L11ATMA1 paramètres, IPB80N06S2L11ATMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IPB80N06S2L11ATMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IPB80N06S2L11ATMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IPB80N06S2L11ATMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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