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IPC302N20NFDX1SA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) -
Other Names SP001363494
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tj)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) -
Supplier Device Package Sawn on foil
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 10V
Package / Case Die
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
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