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IPD050N03LGBTMA1
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IPD050N03LGBTMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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IPD050N03L G | I | Circuits intégrés spécialisés | 51664 |
IPD050N03L MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 2820 |
IPD050N03LG | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 34378 |
IPD050N03LG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 499 |
IPD050N03LGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2616 |
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
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