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IPD079N06L3GBTMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 34µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPD079N06L3 G IPD079N06L3 G-ND IPD079N06L3 GTR-ND IPD079N06L3G IPD079N06L3GBTMA1TR SP000453626
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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