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IPD096N08N3GBTMA1
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IPD096N08N3GBTMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 46A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 73A (Tc) |
IPD096N08N3GBTMA1 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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