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IPD12CNE8N G
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IPD12CNE8N G Spécifications techniques
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 67A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 67A (Tc) |
IPD12CNE8N G Documents
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