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IPD30N08S2L21ATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 75V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.5 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names IPD30N08S2L-21CT IPD30N08S2L-21CT-ND IPD30N08S2L21ATMA1CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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IPD30N08S2L21ATMA1 fabricants de marques: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip action, IPD30N08S2L21ATMA1 prix de référence. IPD30N08S2L21ATMA1 paramètres, IPD30N08S2L21ATMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IPD30N08S2L21ATMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IPD30N08S2L21ATMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IPD30N08S2L21ATMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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