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IPD320N20N3GBTMA1
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IPD320N20N3GBTMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 34A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
IPD320N20N3GBTMA1 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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IPD320N20N3G | INFINEO | Circuits intégrés spécialisés | 5396 |
IPD320N20N3G 320N20N | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 1833 |
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IPD320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples |
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