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IPD600N25N3GBTMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
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