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IPD65R600E6ATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ E6
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
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