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IPD78CN10NGATMA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 12µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 31W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 716pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
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IPD78CN10NGATMA1 fabricants de marques: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip action, IPD78CN10NGATMA1 prix de référence. IPD78CN10NGATMA1 paramètres, IPD78CN10NGATMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IPD78CN10NGATMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IPD78CN10NGATMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IPD78CN10NGATMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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