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IPP023NE7N3GXKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 273µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 37.5V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPP023NE7N3 G IPP023NE7N3 G E8177 IPP023NE7N3 G E8177-ND IPP023NE7N3 G-ND IPP023NE7N3 GTR IPP023NE7N3 GTR-ND IPP023NE7N3GE8177AKSA1 SP000641722
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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