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IPP048N12N3GXKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 230µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 60V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 120V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPP048N12N3 G IPP048N12N3 G-ND IPP048N12N3G SP000652734
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 182nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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