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IPP086N10N3GXKSA1
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IPP086N10N3GXKSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO-220-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 73A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IPP080N03L | Original | Circuits intégrés spécialisés | 35 |
IPP080N03L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 23181 |
IPP080N03LG | INF | Circuits intégrés spécialisés | 325 |
IPP080N03LG MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5297 |
IPP080N06 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 582 |
IPP080N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 20 |
IPP080N06N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 31759 |
IPP080N06NG | INF | Circuits intégrés spécialisés | 337 |
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