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IPP110N20NAAKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptimWatt™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7 mOhm @ 88A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPP110N20NA IPP110N20NA-ND SP000877672
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 88A (Tc)
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