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IPP60R190P6XKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 630µ
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P6
Power Dissipation (Max) 151W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.6A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPP60R190P6 IPP60R190P6-ND SP001017066
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.2A (Tc)
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