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IPP80N08S2L07AKSA1 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 75V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tube
Other Names IPP80N08S2L-07 IPP80N08S2L-07-ND IPP80N08S2L07 SP000219050
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 233nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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