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IPT60R150G7XTMA1
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IPT60R150G7XTMA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ G7 |
Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerSFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-HSOF-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 5.3A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 902pF @ 400V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
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