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IPW60R299CPFKSA1
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IPW60R299CPFKSA1 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 600V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
Packaging | Tube |
Other Names | IPW60R299CP IPW60R299CP-ND IPW60R299CPX IPW60R299CPXK SP000103251 |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
IPW60R299CPFKSA1 Documents
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Feuilles de données
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