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IRF1018ESLPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 79A TO-262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Supplier Device Package TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 79A (Tc)
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