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IRF1902GPBF
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IRF1902GPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
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