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IRF6620TR1PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 27A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4130pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Ta), 150A (Tc)
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