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IRF6648TR1PBF
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IRF6648TR1PBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 150µA |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ MN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 17A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2120pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Package / Case | DirectFET™ Isometric MN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 86A (Tc) |
IRF6648TR1PBF Documents
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