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IRF7464PBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 720mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
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---|---|---|---|
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