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IRF7779L2TRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DIRECTFET L8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6660pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 375A (Tc)
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