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IRF8915TRPBF
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IRF8915TRPBF Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | HEXFET® |
Power - Max | 2W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
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IRF8910GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistors Arrays | |
IRF8910GTRPBF MOS | IR | Circuits intégrés spécialisés | 5641 |
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