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IRF9Z34NLPBF
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IRF9Z34NLPBF Spécifications techniques
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-262 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
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