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IRFHM8363TR2PBF Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Series HEXFET®
Power - Max 2.7W
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1165pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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IRFHM8363TR2PBF fabricants de marques: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip action, IRFHM8363TR2PBF prix de référence. IRFHM8363TR2PBF paramètres, IRFHM8363TR2PBF Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRFHM8363TR2PBF Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRFHM8363TR2PBF schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRFHM8363TR2PBF tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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