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SPB16N50C3 Spécifications techniques
SPB16N50C3 Infineon Technologies
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
SPB16N50C3 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SPB16045 | MICROSEMI | Modules IGBT | 2948 |
SPB16080 | MICROSEMI | Modules IGBT | 2915 |
SPB16090 | MICROSEMI | Modules IGBT | 2733 |
SPB160N02S2-03 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 1000 |
SPB160N04S2-03 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 2948 |
SPB160N04S2-03 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Circuits intégrés spécialisés | 5810 |
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