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SPB18P06PGATMA1 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 81.1W (Ta)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13.2A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SPB18P06PGATMA1CT SPB18P06PGINCT SPB18P06PGINCT-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.7A (Ta)
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SPB18P06PGATMA1 fabricants de marques: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip action, SPB18P06PGATMA1 prix de référence. SPB18P06PGATMA1 paramètres, SPB18P06PGATMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SPB18P06PGATMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SPB18P06PGATMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SPB18P06PGATMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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