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SPD02N50C3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 560V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
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SPD02N50C3 | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
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