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SPD30P06PGBTMA1 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.7mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 60V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 21.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SP000441776 SPD30P06P G SPD30P06P G-ND SPD30P06P GTR-ND SPD30P06PG SPD30P06PGBTMA1TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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SPD30P06PGBTMA1 fabricants de marques: International Rectifier (Infineon Technologies), Bonchip action, SPD30P06PGBTMA1 prix de référence. SPD30P06PGBTMA1 paramètres, SPD30P06PGBTMA1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SPD30P06PGBTMA1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SPD30P06PGBTMA1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SPD30P06PGBTMA1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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