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APT2012P3BT Spécifications techniques
PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Capteurs, Transducteurs / Capteurs Optiques - Phototransistors |
Manufacturer | Kingbright |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Wavelength | - |
Viewing Angle | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Orientation | Top View |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | 0805 (2012 Metric) |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Current - Dark (Id) (Max) | 100nA |
APT2012P3BT Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | Modules IGBT | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | Transistors - IGBT - Simple | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBTs simples | |
APT200GN60J | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | Modules IGBT | |
APT200GN60JG | Microsemi | Transistors - IGBT - Modules | 2632 |
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