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2SAR514P5T100
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2SAR514P5T100 Spécifications techniques
PNP -80V -0.7A MEDIUM POWER TRAN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | TO-243AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 300mA |
Supplier Device Package | MPT3 |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 380MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
2SAR514P5T100 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2SAR502EBTL | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2674 |
2SAR502EBTL | ROHM Semiconductor | Transistors BJT simples | |
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2SAR502UBTL | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 541 |
2SAR502UBTL | ROHM Semiconductor | Transistors BJT simples | |
2SAR512 | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 23930 |
2SAR512P | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 1061 |
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