2SCR572D3TL1 Spécifications techniques

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 10W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 5A 300MHz 10W Surface Mount TO-252
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 100mA, 2A
Supplier Device Package TO-252
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names 2SCR572D3TL1CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Frequency - Transition 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
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