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BR25H040FVM-2CTR
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BR25H040FVM-2CTR Spécifications techniques
IC EEPROM 4K SPI 10MHZ 8MSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Circuits intégrés (CI) / Mémoire |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 4ms |
Technology | EEPROM |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
Package / Case | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Memory Size | 4Kb (512 x 8) |
Memory Format | EEPROM |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 10MHz |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.5 V ~ 5.5 V |
Supplier Device Package | 8-MSOP |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | BR25H040FVM-2CCT |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | SPI |
Manufacturer Standard Lead Time | 11 Weeks |
Detailed Description | EEPROM Memory IC 4Kb (512 x 8) SPI 10MHz 8-MSOP |
BR25H040FVM-2CTR Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BR25H010F-2CE2 | LAPIS Semiconductor | Mémoire | 2718 |
BR25H010F-2CE2 | ROHM Semiconductor | Mémoire | |
BR25H010F-2LBH2 | LAPIS Semiconductor | Mémoire | 2642 |
BR25H010FJ-2CE2 | LAPIS Semiconductor | Mémoire | 2592 |
BR25H010FJ-2CE2 | ROHM Semiconductor | Mémoire | |
BR25H010FJ-WCE2 | LAPIS Semiconductor | Mémoire | 2590 |
BR25H010FVM-2CTR | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2352 |
BR25H010FVT-2CE2 | LAPIS Semiconductor | Mémoire | 2584 |
BR25H010FVT-WCE2 | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 3094 |
BR25H020F-2CE2 | LAPIS Semiconductor | Mémoire | 2763 |
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