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EM6M1T2R Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package EMT6
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA, 200mA
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