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EMF5T2R
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EMF5T2R Spécifications techniques
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 12V |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz, 260MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Supplier Device Package | EMT6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
EMF5T2R Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
EMF5T2R | ROHM Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
EMF5T2R/EMF5 | CJ | Circuits intégrés spécialisés | 9093 |
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