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EMH25FHAT2R Spécifications techniques

TRANS 2NPN 100MA EMT6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) -
Transistor Type 2 NPN Pre-Biased (Dual)
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names EMH25FHAT2RCT
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Current - Collector Cutoff (Max) -
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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