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QS8M13TCR Spécifications techniques

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TSMT8
Power - Max 1.5W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A, 5A
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QS8M13TCR fabricants de marques: LAPIS Semiconductor, Bonchip action, QS8M13TCR prix de référence. QS8M13TCR paramètres, QS8M13TCR Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le QS8M13TCR Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver QS8M13TCR schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, QS8M13TCR tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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