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R6007KNX Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 2.4A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220FM
Power Dissipation (Max) 46W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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R6007KNX fabricants de marques: LAPIS Semiconductor, Bonchip action, R6007KNX prix de référence. R6007KNX paramètres, R6007KNX Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le R6007KNX Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver R6007KNX schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, R6007KNX tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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