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R6008FNX Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 4A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220FM |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
R6008FNX Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
R6008-00 | Harwin | Supports de carte | 2500 |
R6008-00 | Harwin Inc. | Supports de carte | |
R6008ANJ | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 5125 |
R6008ANX | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1318 |
R6008FNJ | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 25211 |
R6008FNJ TLL | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 1541 |
R6008FNJTL | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 50457 |
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