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R6020ANZC8 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.15V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3PF
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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