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R6035ENZC8 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102 mOhm @ 18.1A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2720pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-3PF |
Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
R6035ENZ1C9 | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 575 |
R6035KNZ1C9 | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 9298 |
R6035KNZC8 | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2594 |
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