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RDD020N60TL
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RDD020N60TL Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Supplier Device Package | CPT3 |
Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
RDD020N60TL Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RDD020N50 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 1155 |
RDD020N50 TL | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 2650 |
RDD020N50TL | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 4988 |
RDD020N60 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 10294 |
RDD020N60 TL | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
RDD022N50TL | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 7251 |
RDD022N50TL MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5287 |
RDD022N60 | VB | Circuits intégrés spécialisés | 5000 |
RDD022N60 TL | ROHM | Circuits intégrés spécialisés | 10000 |
RDD022N60TL | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2646 |
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