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RDN050N20FU6
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RDN050N20FU6 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Supplier Device Package | TO-220FN |
Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720 mOhm @ 2.5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 292pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
RDN050N20FU6 Documents
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Feuilles de données
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