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RGT30NS65DGTL Spécifications techniques
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 15A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 55ns |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 32nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
Td (on/off) @ 25°C | 18ns/64ns |
Supplier Device Package | LPDS (TO-263S) |
Power - Max | 133W |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RGT30NL65DGTL | ROHM Semiconductor | IGBTs simples | |
RGT30NS65DGC9 | ROHM Semiconductor | IGBTs simples | |
RGT30NS65DGTL | ROHM Semiconductor | IGBTs simples | |
RGT30TM65D | LAPIS Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 18158 |
RGT30TM65DGC9 | ROHM Semiconductor | IGBTs simples |
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