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RGT8BM65DTL Spécifications techniques
IGBT 650V 8A 62W TO-252
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Simple |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 4A, 50 Ohm, 15V |
Switching Energy | - |
Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 13.5nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
Supplier Device Package | TO-252 |
Power - Max | 62W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 12A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
RGT8BM65DTL | ROHM Semiconductor | IGBTs simples |
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